Нутромеры микрометрические нм-а, нм-ац, нм-с, нм-см, нм-сц

Описание

Принцип действия нутромера микрометрического – механический.

Нутромеры с верхним пределом измерения до 3000 мм изготавливаются с микрометрической головкой, а свыше 3000 мм — с микрометрической головкой, оснащенной индикатором часового типа класса точности 0, по ГОСТ 577—68.

Измерительные поверхности микрометрической головки и измерительного наконечника являются сферическими.

Микрометрическая головка имеет стопорное устройство для закрепления микрометрического винта.

Конструкция микрометрической головки обеспечивает возможность совмещения нулевого штриха барабана с продольным штрихом стебля при установке головки по установочной мере.

На удлинителях размером 300 мм и более предусмотрены теплоизоляционные накладки.

Измерительные поверхности наконечников и микрометрических головок нутромеров выполнены из твердого сплава.

Внешний вид нутромеров представлен на рисунках 1, 2.

Техпроцесс 5нм для новых айфонов

Новый iPhone XI, ожидаемый в сентябре 2020 года, получит процессор Apple A13 на техпроцессе 7нм. Но не на таком же, как Apple A12 в 2020 году, а на усовершенствованном, второго поколения, с частичным применением ультрафиолетовой литографии EUV, которую фабрики начали внедрять уже в марте 2020.

Зато в Apple A14 для айфонов 2020 года уже будет новый техпроцесс 5нм, полностью отлитый по технологии EUV (Extreme ultraviolet lithography, экстремальная ультрафиолетовая литография).

Если размер чипа останется прежним и его площадь будет равна примерно 80 мм2 (8мм х 10мм), а полезная площадь составит хотя бы 15%, то можно ожидать более 11 миллиардов транзисторов в процессоре Apple A14 на 5нм техпроцессе. Это 70% прироста вычислительной мощности. И если мы видели 300тыс. баллов в антуту для Apple A12, то Apple A14 вполне сможет показать и 600тыс. баллов. 

Возникает логичный вопрос: а нафига такая мощность нужна? Зачем смартфону вычислительные возможности настольного ПК? Всё равно же они будут простаивать!

Вычисления

В геометрии расстояние между двумя точками, А и В, с координатами A(x₁, y₁) и B(x₂, y₂) вычисляют по формуле:

В физике длина — всегда положительная скалярная величина. Ее можно измерить при помощи специального прибора, одометра. Расстояние измеряется по траектории движения тела

Важно не путать расстояние с перемещением — вектором, измеряемым по прямой от точки начала пути до точки конца пути. Перемещение и длина одинаковы по величине только если тело двигалось по прямой

При известной частоте оборота колеса или его радиуса можно вычислить расстояние, пройденное этим колесом. Такие вычисления полезны, например, в велоспорте.

Автор статьи: Kateryna Yuri

Unit Converter articles were edited and illustrated by Anatoly Zolotkov

Технические характеристики

Таблица 2

Таблица 3 – Общие технические характеристики

График крутящего момента

Пример №1. Суперкар мощностью 500 сил с крутящим моментом двигателя 500 Н*м и магистральная фура-тягач с отдачей 500 сил и 2500 Н*м на колесах тем не менее имеют абсолютно равный крутящий момент при движении с одинаковой скоростью на оборотах максимальной мощности: М (момент на колесах, приводящий машины в движение) = N (мощность двигателя) / n (обороты колеса, при условии, что у суперкара и фуры они одинакового диаметра).

Вывод: цифра мощности отражает тягу и динамику автомобиля, а цифра крутящего момента двигателя, не учавствующая в вычислениях, может быть любой и не имеет значения.

Пример №2. Зайдем с другой стороны. Тот же суперкар и фура с вышеуказанными характеристиками (аналоги Porsche 911 GT3 RS 4.0, Scania R500 и многие другие суперкары и грузовики), как правило, имеют максимальные обороты двигателя около 9000 и 1800 соответственно. Для того чтобы компенсировать пятикратную разницу в оборотах (иметь ту же скорость движения), на фуре придется применять в пять раз более «длинную» трансмиссию, которая, соответственно, будет передавать в 5 раз меньше момента на колеса: 2500 Н*м делим на 5 и получаем те же 500 Н*м (приведенный момент), как в суперкаре.

Вывод: мы получили то же равенство тягово-динамического потенциала машин равной мощности, что и в примере №1.

В представленной таблице крутящего момента двигателей цифры Нм приведены к величине 7000 об/мин.

Описание

Измерители иммитанса представляют собой многофункциональные измерительные приборы, принцип действия которых основан на аналого-цифровом преобразовании входных сигналов. На передней панели прибора находится жидкокристаллический дисплей, на котором отображаются результаты измерений, а также единицы измерений, диапазоны, частота и уровень тестового сигнала, эквивалентная электрическая цепь, измерительные функции, параметры и состояние прибора. На передней панели расположены также клавиша включения питания, поворотная ручка выбора и настройки функций и параметров, клавиши меню, клавиши калибровки, параметров тестового сигнала и измерительных функций. Имеются также две пары BNC разъемов для подключения измерительных кабелей и девять клавиш измерительных функций.

На задней панели прибора имеется разъем для подключения шнура питания, гальванически развязанный сдвоенный интерфейс USB/RS-232 для передачи данных на ЭВМ, гнезда для подключения внешнего источника напряжения смещения и гнездо внешнего запуска.

Вид задней панели вольтметра с местом пломбирования (один из винтов задней пане-

ли) приведен на рисунке 2.

Место пломбирования

т

шт.

в

/h

I I ИЛПСО

Inatnimvnti

D-63 533 Main hausen

НШ118

PROGRAMMABLE LCR BRIDGE

m §] (g

Рисунок 2 – Вид задней панели измерителя иммитанса

Поверка

осуществляется в соответствии с документом «Измерители иммитанса НМ8118. Методика поверки» 45-8118-0312МП, утвержденным ГЦИ СИ ФБУ «ЦСМ Московской области» 15 мая 2012 г.

Основное поверочное оборудование:

–    меры сопротивления Е1-5, диапазон от 1 Ом до 10 кОм, класс точности 0,1;

4 8

–    магазин сопротивлений Р4002, диапазон 10 – 10 , класс точности 0,05;

–    меры индуктивности Р596, диапазон 1 мкГн – 1 Гн, класс точности от 0,05 до 1,5;

–    меры емкости Р597, диапазон 0,01 пФ – 1 мкФ, погрешность (0,018 – 0,064) %;

2 4

–    магазин сопротивлений Р4830/1, диапазон 10″ – 10 , погрешность (0,004 – 0,022) %.

–    частотомер Ч3-63/1, погрешность 5-10″ ;

–    вольтметр В7-78/1, погрешность 0,09 %.

Техпроцесс 5нм видео

Новые материалы по этой тематике:

• 28/07/2019 – Snapdragon 855 Plus, Exynos 9825, Helio G90 и Kirin 990 – краткий обзор и характеристик четырех топовых процессоров 2020 года
• 23/07/2019 – Snapdragon 665 – обзор и характеристики, чем отличается от Snapdragon 660, список смартфонов
• 18/07/2019 – Snapdragon 855 Plus – представлен лучший мобильный чип для Андроид-смартфонов с улучшенными показателями производительности
• 06/07/2019 – Qualcomm Snapdragon 710 – игровой субфлагманский процессор теперь доступен всем – характеристики, обзор, список смартфонов
• 24/06/2019 – Huawei представила процессор Kirin 810, который существенно мощнее Snapdragon 710 и 730
• 26/05/2019 – Samsung ISOCELL GW1 – даешь в смартфонах 64 Мп – обзор и характеристики новой камеры для смартфонов, дата выхода, в каких устройствах появится
• 13/05/2019 – Snapdragon 675 против Snapdragon 835 – в бой идут одни старики. Какой процессор лучше, где лучше идут игры – обзор и характеристики

Старые материалы по этой тематике:

• 23/04/2019 – Qualcomm Snapdragon 730/730G и 735 – обзор трех субфлагманских чипсетов, которые вплотную приблизились к флагманам Snapdragon 845 и 855
• 24/03/2019 – “>Сравнение Snapdragon 855 с Exynos 9820 и Kirin 980 – кто лучше, характеристики и производительность, список смартфонов
• 13/03/2019 – Samsung Exynos 9610 – неплохой процессор для среднего класса с искусственным интеллектом – характеристики, смартфоны, аналоги Snapdragon
• 19/02/2019 – Snapdragon QM215 – бюджетный процессор для смартфонов на Android GO
• 12/02/2019 – Qualcomm Snapdragon 712 – новый субфлагманский процессор, предназначенный для доступных смартфонов, обладающий высокой производительностью
• 04/01/2019 – Мобильные процессоры 2020 – большой обзор всех мобильных SoC, представленных на рынке в 2020 году
• 12/12/2018 – Qualcomm Snapdragon 855 – полный обзор свежего флагманского чипсета для топовых смартфонов 2020 года от Samsung, Xiaomi, OnePlus, Meizu и других

Следующая страница >>

Техпроцесс 5нм в 2020 году

Окунувшись в историю, можно вспомнить, что более тонкий техпроцесс всегда давался микроэлектронному производству с большим трудом. На каждый шаг по уменьшению размеров транзисторов тратились колоссальные суммы денег и годы разработки:

• 90 нм – 2002 год
• 65 нм – 2004 год
• 45 нм – 2006 год
• 28 нм – 2010 год
• 20 нм – 2012 год
• 14 нм – 2014 год
• 10 нм – 2017 год
• 7 нм – 2020 год
• 6 нм – 2020 год
• 5 нм – 2020 год

Причём ранее ведущим новатором в мире была компания Intel, а теперь, с приоритетом мобильных вычислений, первенство ушло TSMC. Intel только-только начала переходить на 10нм техпроцесс, причём не очень удачно, а TSMC уже готовится к промышленному производству 5нм и проектирует фабрики под 3нм!

Что интересно, 10 нм – это не размер всего транзистора, это лишь показатель ширины затвора. Полностью транзистор, выполненный по проектным нормам 10 нм, имеет размер около 64нм и если посчитать площадь одного транзистора (чуть больше 4000 квадратных нанометров) и отнести её к площади чипа (например, Apple A10 – 89.25 мм2), то получится, что на площади этого чипа можно разместить почти 22 миллиарда транзисторов. Однако, нам известно, что в состав Apple A11 входит 4,3 миллиарда транзисторов. Остальная площадь чипа отводится под соединения и другие подсистемы чипа. Итого полезная площадь – это едва ли 20% от общей площади чипа.

Apple A12, получивший новый 7нм техпроцесс, имеет площадь 83,27 мм2, но при этом содержит уже 6,9 млрд. транзисторов. Если также посчитать полезную площадь, то получим значение 17%.

Это говорит о том, что площадь, которую занимают реальные вычислительные элементы, со временем сокращается, освобождая место под всевозможные соединения и переходы. Однако это не снижает производительность, так как сокращение размеров транзисторов столь сильное, что их количество всё равно возрастает на десятки процентов. Например, разница между эппловскими чипами А10 и А11 – 30%, а между новыми поколениями A11 и A12 – уже более 60%.

Дальнейшее уменьшение проектных норм, несомненно, приведёт к ещё большему числу транзисторов на прежней площади чипа. Можно примерно посчитать их количество и ожидаемый прирост производительности:

Таблица крутящего момента и мощности

ЧИТАТЬ ТАКЖЕ

• 5145

Программное обеспечение

Прибор имеет встроенное программное обеспечение, основной функцией которого является автоматизация процесса измерения. ПО не влияет на метрологические характеристики прибора.

Уровень защиты программного обеспечения от непреднамеренных и преднамеренных изменений в соответствии с МИ 3286-2010 – А.

Таблица 1

Список источников

• all-pribors.ru
• www.translatorscafe.com
• www.stevsky.ru
• topruscar.ru